SiNx表面修饰在剥离技术中的应用

刘海军; 张靖; 莫才平; 段利华; 闫应星; 黄晓峰

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SiNx表面修饰在剥离技术中的应用

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针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理SiNx表面,研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量1.8μm减小到0.2μm,相对变化量从177.2%降低到15.2%,制备出较好的剥离胶膜形貌,解决了InGaAs芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。

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来源
《信息记录材料》 |2022年第7期|58-61|共4页
作者
刘海军; 张靖; 莫才平; 段利华; 闫应星; 黄晓峰;
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作者单位

重庆光电技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅酸盐工业;
关键词
SiNx; 底切宽度; 表面处理; 稳定性; 剥离;

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