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徐玉兰; 林中晞; 陈景源; 林琦; 王凌华; 苏辉;
1. 中国科学院福建物质结构研究所激光工程技术研究室 2. 中国科学院大学;
双稳态; 半导体激光器; 双区共腔; 回滞曲线环; 开关比;
机译:掺杂分布对InGaAsP / InP非对称多量子阱激光器可调谐输出功率的影响:有限元方法模拟和实验结果
机译:1.55μm高速掩埋异质结构InGaAsP / InGaAlAs量子阱激光器的实验表征
机译:具有组成可变量子阱的宽可调InGaAsP激光器的实验分析
机译:InGaAsP MQW激光器中量子势垒厚度对载流子分布影响的实验和理论研究
机译:多量子阱双稳态激光器在全光信号处理中的研究
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:Ga +铣削对聚焦离子束铣削Ingaasp量子阱激光器的影响
机译:Ⅱ型量子阱激光器温度特性的实验与理论研究
机译:具有InGaAsP量子阱和GaAsP势垒层的激光器
机译:包括InGaAsP容纳层的量子阱激光器及其制造方法
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