使用太赫兹快速探测器测量硅少数载流子寿命

张钊; 陈勰宇; 田震

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使用太赫兹快速探测器测量硅少数载流子寿命

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利用脉冲触发信号在半导体中产生非平衡态载流子的方式,提出一种使用太赫兹连续源和超快速响应探头测量半导体少数载流子寿命的方法,用于表征半导体的瞬态载流子动力学过程。根据上述设计原理及思路,以泵浦光作为周期性激励信号,搭建出一套工作时间窗口为纳秒到秒量级,时间精度在纳秒量级的非接触式半导体少数载流子寿命测量系统,具有装置简单、操作方便、成本低廉等优点。使用搭建的系统对不同掺杂类型、不同掺杂浓度、不同厚度单晶硅的非平衡态少数载流子寿命进行测量。最后,通过改变泵浦光单脉冲能量,对单晶硅光生载流子寿命进行测量,结果表明单晶硅少数载流子寿命随着泵光能量的增大而变长。该系统所实现的宽工作窗口、高时间精度太赫兹快速过程的探测,可应用于太赫兹领域的快速成像和快速生物响应探测。

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来源
《红外与激光技术》 |2019年第9期|145-150|共6页
作者
张钊; 陈勰宇; 田震;
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作者单位

天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术教育部重点实验室太赫兹波研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电磁学;
关键词
太赫兹; 光泵; 单晶硅; 少数载流子寿命;

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