退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

邓洪海; 魏鹏; 朱耀明; 李淘; 夏辉; 邵秀梅; 李雪; 缪国庆; 张永刚; 龚海梅

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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术（SCM）和二次离子质谱（SIMS）研究了在芯片制备中高温快速热退火（RTP）处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

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来源
《红外与激光技术》 |2012年第2期|279-283|共5页
作者
邓洪海; 魏鹏; 朱耀明; 李淘; 夏辉; 邵秀梅; 李雪; 缪国庆; 张永刚; 龚海梅;
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作者单位

1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 2. 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 3. 中国科学院研究生院 4. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 5. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 6. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
快速热退火; Zn扩散; 结深; InGaAs;

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