背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

赵文伯; 周勋; 李艳炯; 申志辉; 罗木昌

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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

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高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式Al x Ga1-x N-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程,并给出了设计结果,通过工艺实验,对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制,经测试试制器件,其峰值响应波长为270 nm,光谱响应范围为250~282 nm,峰值量子效率达到了57%（0 V）,实验表明取得了比较理想的设计结果。

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来源
《红外与激光技术》 |2013年第12期|3358-3362|共5页
作者
赵文伯; 周勋; 李艳炯; 申志辉; 罗木昌;
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作者单位

重庆光电技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
高量子效率; AlGaN; 日盲紫外探测器;

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