InGaAs近红外探测器高可靠封装技术

刘大福; 杨力怡; 徐勤飞; 吴家荣; 洪斯敏; 沈一璋

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InGaAs近红外探测器高可靠封装技术

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对256元和512元InGaAs线列探测器进行了气密封装,对封装结构和工艺中的几个关键技术进行了分析,包括热电致冷器的热负载性能、温度烘烤性能、组件密封性。研究结果表明:在室温条件下,热电致冷器的致冷温差可以达到55 K以上,热负载每增加50 mW,致冷温差下降约0.51 K,能够满足组件的使用要求。经过120℃、500 h的烘烤后,热电致冷器仍能保持性能不变。组件的密封性达到了国军标的要求。

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来源
《红外与激光技术》 |2011年第8期|1412-1415|共4页
作者
刘大福; 杨力怡; 徐勤飞; 吴家荣; 洪斯敏; 沈一璋;
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作者单位

1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 2. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InGaAs; 气密性; 热电致冷器; 密封; 平行缝焊;

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