首页> 中文期刊> 《红外与激光技术》 >不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质

不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质

         

摘要

为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350°C的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上。样品的XRD谱显示薄膜为<001>方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250°C时最低。原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加。样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到了磷的P2p峰,且组分随衬底温度而变化。在400~600nm的范围内样品的平均光学透射率大于60%,所计算的光学带隙大约为3.2 eV。薄膜的Hall测量表明薄膜为n型电导,且薄膜中的载流子浓度随温度的升高而降低。该工作有助于对ZnO低温磷掺杂薄膜性质的了解,从而在低温下获得磷掺杂的ZnO p型导电薄膜。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号