光电导探测器的响应时间与微变等效电路

江文杰; 施建华; 曾学文; 王省书

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光电导探测器的响应时间与微变等效电路

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为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的响应时间参数。实验表明:在照度小于103lx范围内,CdSe光电导探测器的响应时间平均值为5.4ms,与外接负载电阻的阻值无关。研究表明:线性光电导探测器的响应时间由半导体材料内部的微观结构决定;探测器可等效为恒流源和光电阻的并联;外接输出电路时,其总的响应时间与探测器的响应时间和光电检测电路的时间常数两个参数有关,一般应用中可近似取为探测器的响应时间。

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来源
《红外与激光技术》 |2009年第5期|792-796|共5页
作者
江文杰; 施建华; 曾学文; 王省书;
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作者单位

国防科技大学光电科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
光电导探测器; 响应时间; 恒流源; 微变等效电路; 光电检测电路;

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