温度场监控下高功率半导体激光熔敷钴基合金涂层

李铸国; 黄坚; 王亚平; 张轲; 芮佳宁; 张悦

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温度场监控下高功率半导体激光熔敷钴基合金涂层

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采用3.5 kW半导体激光器在42CrMo4表面熔覆了钴基合金（Stellite 6）涂层,利用光学显微镜和显微硬度仪表征了涂层的微观组织和硬度分布,研究了监控熔覆过程中的熔池温度场对涂层的微观结构和显微硬度的影响。结果表明:基于熔池温度场拍摄并调整激光器输出功率的熔池大小闭环监控的工艺可实现对钴基合金涂层的稀释率以及结构与性能的调控;当送粉量为22.6 g/min、熔覆速率为1 m/min时,基于熔池温度场监控的工艺调整实现了近零稀释率的钴基合金涂层的熔覆,所需激光功率仅为1.5 kW;涂层与基体形成良好的冶金结合,组织致密,主要由平面晶、胞状晶、树枝晶和等轴晶构成,晶粒细小,显微硬度达到HV600。

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来源
《红外与激光技术》 |2010年第2期|311-314|共4页
作者
李铸国; 黄坚; 王亚平; 张轲; 芮佳宁; 张悦;
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作者单位

1. 上海交通大学材料科学与工程学院 2. 延锋伟世通汽车模具有限公司;

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正文语种 chi
中图分类金属复层保护;
关键词
高功率半导体; 激光熔覆; 钴基合金; 温度场; 稀释率;

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