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史衍丽; 何雯瑾; 张卫锋; 王羽; 袁俊; 莫境辉; 冯江敏; 胡锐; 邓功荣; 徐应强; 牛智川;
1. 昆明物理研究所 2. 中国科学院半导体研究所;
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格; nBn; 第三代红外探测器; 探测率; 量子效率;
机译:长波Sb基Ⅱ型超晶格红外探测器材料中少数载流子寿命的掺杂依赖性
机译:基于Ⅱ型InAs / InAs_(1-x)Sb_x / AlAs_(1-x)Sb_x超晶格的高性能短波红外光电探测器
机译:基于InAs / InAs_(1-x)Sb_xⅡ型超晶格的偏置可选双波段中/长波长红外光电探测器
机译:限制Sb基Ⅲ-Ⅴ型Ⅱ超晶格用于红外探测器性能的复合机理研究
机译:MBE研究超长波长红外光电探测器InAs / Ga(In)Sb和InAsN / Ga(In)Sb超晶格
机译:高性能阳极硫化 - 预处理门控P + -IN-M-N + INAS / GASB超晶格长波长红外探测器
机译:使用基于SB的应变层超晶格的低噪声短波长红外雪崩光电探测器
机译:用于红外探测器应用的Inas / Ga(1-x)In(x)sb超晶格
机译:级联Ⅱ型超晶格红外探测器工作温度为300K
机译:高量子效率超晶格红外探测器
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
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