HgCdTe探测器Pt电阻测温分析

王飞; 程湘爱

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研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置（冷面上）,推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。

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来源
《红外与激光工程》 |2007年第4期|461-463466|共3页
作者
王飞; 程湘爱;
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作者单位

国防科技大学光电学院定向能技术研究所;

国防科技大学光电学院定向能技术研究所湖南长沙410073;

湖南长沙410073;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
PV型HgCdTe探测器; 温升; 杜瓦冷面; Pt电阻; 1.319μm连续激光;

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