α-Al2O3上生长GaN过程中氮化的研究

王艳艳; 秦福文; 马世猛; 吴爱民; 王叶安

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α-Al2O3上生长GaN过程中氮化的研究

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在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-EMOCVD）装置上生长氮化镓（GaN）薄膜,以氮等离子体为氮源,三乙基镓（TEG）为镓源,蓝宝石（α-Al2O3）为衬底。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析,研究了ECR等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石（α-Al2O3）衬底的氮化作用,结果表明:在ECR等离子体中,不掺入氢气,温度较低时可以明显提高α-Al2O3衬底的氮化效果,获得平整的氮化层,且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的。

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来源
《红外与激光技术》 |2007年第5期|721-724|共4页
作者
王艳艳; 秦福文; 马世猛; 吴爱民; 王叶安;
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作者单位

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室辽宁大连116024;

辽宁大连116024;

辽宁大连116024;

辽宁大连116024;

辽宁大连116024;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.05;
关键词
蓝宝石; 氮化; 氮化镓; 等离子体;

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