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魏彦锋; 陈新强; 曹妩媚;
中国科学院上海技术物理研究所;
中国科学院上海技术物理研究所 上海200083;
上海200083;
液相外延; 碲镉汞; 缺陷;
机译:离子磨辅助液相外延生长HgCdTe薄膜的缺陷结构
机译:液相外延生长的HgCdTe薄膜的磁阻测量特性
机译:液相外延法在CdZnTe上生长的HgCdTe层中残余螺纹位错密度的无损表征
机译:两种表征液相外延生长InAsSb薄膜电性能的方法
机译:氢化物气相外延生长的III-V半导体薄膜中的缺陷分析。
机译:固态衬底上高度稳定的整体式UiO-66-NH2 MOF薄膜的液相准外延生长
机译:InBixSb(1-x)薄膜在GaAs(0 0 1)衬底上的液相外延生长及其表征
机译:液相外延生长尖晶石铁氧体薄膜的生长与表征
机译:HgCdTe的液相外延生长方法及装置
机译:HgCdTe上cdTe的液相外延生长
机译:用于单晶碳化硅的液相外延生长的种子材料以及用于单晶碳化硅的液相外延生长的方法
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