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HgCdTe固态再结晶技术工艺改进

         

摘要

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成 -淬火 -退火三个过程 ,文中对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进 ,获得了较为满意的结果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好 ,并已做出多种高性能红外探测器。

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