半开管扩散光伏锑化铟器件结深测试

机译：使用EBIC从任意结深度值的扩散结中确定扩散长度

机译：半导体器件可靠性基础课程（六）-半导​​体器件可靠性测试-

机译：源极扩展结深度和衬底掺杂浓度对I-MOS器件特性的影响

机译：用于确定扩散硅器件中结深度的交互式程序

机译：聚合物/富勒烯光伏器件：通过热控制互扩散对界面进行纳米级控制。

机译：生物模拟能量存储系统通过光伏器件组合和由天线相关光电系统II的激发的光伏器件和电化学细胞的组合来氢转换为氢气

机译：确定扩散硅器件中结深度的交互式程序

机译：多晶Cu（In，Ga）se（sub 2）器件效率与同质结深度和界面结构的相关性：X射线光电发射和正电子湮没光谱表征

机译：具有具有不同结深度的扩散区的半导体器件

机译：系统允许反射未被使用的辐射以及光伏器件和使用该系统的器件的半导电材料区域的反射。

机译：具有表面干扰的光伏器件，该器件被配置用于扩散键合和共振