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ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响

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摘要

利用成熟的HgCdTe器件生产工艺制备了HgCdTe Hall器件,利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe Hall器件表面实现了ZnS介质薄膜的低温生长;用低温变磁场Hall测量技术对ZnS薄膜覆盖前后的Hall器件输运特性进行了研究,分析了ZnS薄膜的沉积生长对器件中HgCdTe晶体表面、体内载流子的分布、迁移率的影响.实验证明,利用文中的Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe器件表面进行ZnS介质膜生长不会引起器件HgCdTe晶格的损伤,且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷,不会降低n-HgCdTe光导型虹外探测器器件的最终性能指标.

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来源
《红外技术》 |2000年第3期|31-34,38|共5页
作者
周咏东; 方家熊; 汤定元;
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作者单位

苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;

中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
ZnS; Ar+束溅射沉积; 迁移率谱; HgCdTe; 红外探测器;

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