p-on-n结构的碲镉汞红外探测器具有长的少子寿命、低暗电流、高R;A值等优点,是高温器件、长波甚长波器件发展的重要器件结构。而国内还鲜有砷注入掺杂p-on-n长波HgCdTe探测器的相关报道,为了满足军事、航天等领域对高性能长波探测器迫切的应用需求,针对As离子注入的长波p-on-n碲镉汞红外探测器退火工艺技术进行研究。采用二次离子质谱(SIMS)仪分析注入及退火后As离子浓度分布情况,使用半导体参数测试仪表征pn结的I-V特性。研究结果表明,在富汞0.5 h 430℃+20 h 240℃条件下,实现As激活,成功制备As注入长波15μm 640×512的p-on-n碲镉汞红外焦平面器件,器件有效像元率大于99.7%。该研究对长波甚长波碲镉汞p-on-n焦平面器件的制备具有重要意义。
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