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刘振芳; 刘淑平; 聂慧军;
太原科技大学应用科学学院,山西太原030024;
afors-het; β-FeSi2; 少数载流子; 本征层; 背场;
机译:C-Si / A-Si:H异质结太阳能电池的模拟性能,NC-Si:H,μC-Si:H,A-SiC:H和A-SiGe:H发射器层
机译:高迁移率In2O3:H作为a-Si:H / c-Si异质结和mu c-Si:H薄膜太阳能电池的接触层
机译:a-Si:H / c-Si异质结太阳能电池中c-Si表面钝化本征层的低缺陷界面研究$
机译:a-Si / c-Si界面处的界面状态(Dit)对薄膜a-Si / c-Si / c-Si异质结太阳能电池性能的影响
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:通过山梨糖醇的混合物改善了PEDOT:PSS / c-Si异质结太阳能电池的表面钝化并降低了其寄生吸收
机译:(a-Si:H / µc-Si:H)异质结太阳能电池的研究和数值模拟。 ud ud异质结太阳能电池(a-Si:H / µc-Si:H
机译:C-si,a-si和a-si:H的实验研究
机译:基于C-SI的复合异质结太阳能电池
机译:具有a-Si和c-Si层的电子照相用部件
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
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