长波HgCdTe光电二极管：n＋在p上面的结构与p在n上面的结构的比较

Rogal.A; 顾聚兴

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从理论上ｎ＾＋在ｐ上和ｐ在ｎ上的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机现控制的热发生的结果，对于工作于７７Ｋ，采用０．１ｅＶ基材料的两种类型的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管，均考虑了结位置对Ｒ０Ａ积，光电增益以及噪声的影响。尤其是，详细分析了两种结构的作为截止波长的温度的函数的Ｒ０Ａ积。就假定的同质结基区掺杂浓度而言（对于ｎ＾＋在ｐ上的结构，Ｎａ＝５×１０＾１５ｃｍ

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来源
《红外》 |1996年第5期|23-27|共5页
作者
Rogal.A; 顾聚兴;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN364.2;
关键词
HgCdTe; 光电二极管; Pn结;

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