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美国喷气推进实验室研制出与通用读出集成电路兼容的n-B-pi-p超晶格红外探测器

         

摘要

据www.techbriefs.com网站报道,美国喷气推进实验室最近通过在标准的n-pi-p结构的n-pi结处插入一个专门设计的势垒(B),研制出一种可大大减少产生-复合暗电流的n-B-pi-p超晶格红外探测器。这种新型n-B-pi-p超晶格红外探测器还减少了隧道暗电流,

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