MOCVD工艺腔体PM后调机率的改善方法

朱亮

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MOCVD工艺腔体PM后调机率的改善方法

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MOCVD工艺用于生长接触窗中的TiN薄膜。MOCVD的成膜厚度和均一性因受温度和工艺气体分布影响较大,导致PM后调机率很高,影响机台的Uptime。通过对handoff的管控,实现Wafer温度偏低区域的温度提升;通过By Kits和By腔体的C0管控,实现Wafer实际成膜温度的有效控制;通过管控Shower Head 每圈孔洞直径均值的最大差值 30 μm,实现对工艺气体分布的有效管控;以上三种方法同时使用,MOCVD工艺腔体PM后的调机率由64%降低到32%,有效地提高了设备Uptime。

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来源
《仪器与设备》 |2021年第3期|P.55-62|共8页
作者
朱亮;
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作者单位

上海华力微电子有限公司上海;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
膜厚; 均一性; 调机率;

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