X波段低噪声放大器设计

张胜杰

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X波段低噪声放大器设计

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介绍了一款X波段低噪声放大器的设计与调试过程.设计采用NEC公司的HEMT晶体管NE3515S02制作,放大器采用两级级联,并利用先进系统软件进行噪声、稳定性、增益、驻波比等参数的仿真分析,同时绘制了电路板,然后使用三维建模软件 Autodesk inventor设计了放大器的壳体.制作的LNA指标为:在8.8 GHz~9.6 GHz频带内,功率增益为22 dB,带内平坦度小于1 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出驻波比小于1.5.

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来源
《物联网技术》 |2015年第8期|42-4345|共3页
作者
张胜杰;
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作者单位

杭州电子科技大学天线与微波技术研究所;

浙江杭州 310018;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器;
关键词
低噪声放大器; 噪声系数; 驻波比; 仿真分析;

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