掺杂硅热压工艺烧结制备Ti2AlC陶瓷材料

周卫兵; 梅炳初; 朱教群; 洪小林

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掺杂硅热压工艺烧结制备Ti2AlC陶瓷材料

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以Ti、TiC、Al为原料,采用热压工艺制备出相组成为Ti2AlC块体材料.合成材料的X-射线衍射和扫描电镜(SEM)分析的结果表明:当烧结温度为1400℃时,材料中的主晶相为Ti2AlC,为10μm大小的板状多晶体;而在1 500℃的温度下烧结所得材料的主晶相为Ti3AlC2,其板状多晶体的晶粒尺寸平均约为20μm.掺加硅时,随着温度的提高有利于Ti3AlC2的生成.

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来源
《江苏陶瓷》 |2004年第3期|10-12|共3页
作者
周卫兵; 梅炳初; 朱教群; 洪小林;
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作者单位

武汉理工大学材料复合国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合国家重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学材料复合国家重点实验室,武汉,430070;

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正文语种 chi
中图分类 TQ174.758;
关键词
热压烧结; 制备; Ti2AlC; Ti3AlC2;

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