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张春红; 张忠政; 邓永荣;
安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心,贵州 安顺561000;
光电材料; CdS; 掺杂; 第一性原理;
机译:CdS缓冲层化学浴沉积过程中CulnSe_2及其相关化合物中Cd掺杂的第一性原理研究
机译:CdSexTe1-x合金用于高效太阳能电池的带隙调谐和掺杂控制的第一性原理研究
机译:Ga和掺杂的CdS纳米复合材料的光学性质:实验和第一性原理研究
机译:不同尺寸的Pd掺杂CdS的第一性原理研究
机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:第一性原理研究不同界面和核类型对CdSe / CdS核-壳纳米晶体性能的影响
机译:La掺杂在Ce掺杂钇铝石榴石中引起的结构效应和4f-5d跃迁变换:第一性原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:有源层掺杂不同浓度的非晶半导体薄膜晶体管及其制造方法,可改善电流特性
机译:具有两个不同发射极部分的双极晶体管,具有不同浓度的相同类型的掺杂剂,以提高增益
机译:“一种包含cds / cdsse的量子点的cds / cdsse掺杂的复合玻璃及其制备方法,用作光学截止滤光片”。
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