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沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响

         

摘要

利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜.研究结果表明:硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响.傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大(2~15 sccm)易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV.

著录项

  • 来源
    《应用光学》 |2006年第4期|274-280|共7页
  • 作者单位

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

    西安通信学院;

    数理教研室;

    西安;

    710106;

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

    大连理工大学;

    三束材料改性国家重点实验室;

    大连;

    116024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    SiCN薄膜; 微波ECR等离子体; 沉积参数; 光学带隙;

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