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单光子探测器APD无源抑制特性研究

         

摘要

为了选择高性能单光子探测器件,采用无源抑制方法对工作在盖革模式下的雪崩光电二极管(APD:avalanche photodiode)特性进行了测量.利用APD两端的电压在雪崩后趋于稳定的特性,获得了一种确定暗击穿电压的方法.特性测量实验结果表明:降低温度能加宽APD的最佳工作区域范围,并提高最佳增益值,从而使APD具有更高的灵敏度.通过对EG&G系列APD和外延APD暗电流和信噪比特性进行比较,发现外延APD具有良好的噪声性能和信噪比性能,适用于单光子探测.

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