Ni-C共掺杂AgSnO_(2)触头材料电性能第一性原理计算

丁璨; 高振江; 胡兴; 袁召

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采用基于密度泛函理论的第一性原理分析方法的CASTEP软件,计算了Ni、C单掺杂和共掺杂SnO_(2)的晶格参数、能带结构、电子态密度和布局,结果表明:单掺杂和共掺杂均使得晶胞体积略微增大,禁带减小,且仍属于直接带隙半导体,在价带顶和导带底产生杂质能级,其中Ni-C共掺杂时禁带最小,杂质能级最多,电子跃迁需要的能量更小,导电性也就最好.共掺杂时费米能级附近的峰值有所减小,局域性降低,原子间的成键结合力更强,使得SnO_(2)材料也更加稳定.

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来源
《原子与分子物理学报》 |2022年第4期|137-143|共7页
作者
丁璨; 高振江; 胡兴; 袁召;
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作者单位

三峡大学电气与新能源学院;

华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类固体性质;
关键词
AgSnO_(2)触头材料; 第一性原理; 共掺杂; 电性能;

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