减小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光电探测器暗电流的方法

刘凤敏; 宋珍; 甘润今

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减小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光电探测器暗电流的方法

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有机/无机同型异质结是一种新型的光电子元器件,由于它有制备工艺简单,一致性和稳定性好,光电转换效率高,频响特性宽等优点,在光电子领域将有广泛的应用前景.将有机半导体材料苝四甲酸二酐淀积在10 Ω·cm的P-Si无机半导体片上,形成有机/无机同型异质结,然后采用各种工艺处理方法有效的降低了它的暗电流,暗电流减小到了10-9A数量级.对降低暗电流的工艺措施和方法进行了分析和讨论.实验结果还表明,ITO/PTCDA/P-Si/Al同型异质结的暗电流主要成分是耗尽区中载流子的产生-复合电流结的反向饱和电流.

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来源
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 |2005年第1期|5-7|共3页
作者
刘凤敏; 宋珍; 甘润今;
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作者单位

北京机械工业学院,基础部,北京,100085;

北京机械工业学院,基础部,北京,100085;

北京机械工业学院,基础部,北京,100085;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304:0621.15;
关键词
暗电流; 产生-复合电流; 焙烘工艺; 超声压焊;

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