超突变P—n结的容——压特性

徐婉棠

首页> 中文期刊> 《北京师范大学学报：自然科学版》 >超突变P—n结的容——压特性

超突变P—n结的容——压特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。

著录项

来源
《北京师范大学学报：自然科学版》 |1980年第1期|57-67|共11页
作者
徐婉棠;
展开▼
作者单位

北京师范大学物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
超突变结; 变容二极管; 电容效应; 容管; 反向电压; 外加电压; 电调; 杂质分布; 反向偏压; 外延层;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数 [J] . 吴春瑜 ,朱长纯 . 电子学报 . 1999,第002期
2. 超突变结变容管容压变化指数的研究 [J] . 吴春瑜 ,朱长纯 . 微电子学与计算机 . 1996,第2期
3. 根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法 [J] . 吴春瑜 ,李森 ,朱长纯 . 微电子学与计算机 . 1997,第4期
4. 超突变结变容管C—V曲线拐点存在条件的研究 [J] . 朱长纯 ,吴春瑜 . 西安交通大学学报 . 1996,第006期
5. MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料 [J] . 李景 ,章其麟 . 半导体情报 . 1994,第004期
6. GaAs超突变结变容二极管的设计 [C] . . 全国第19届计算机技术与应用学术会议(CACIS·2008) . 2008
7. 常压双频容性耦合等离子体特性的实验研究 [A] . 王墅 . 2019

超突变P—n结的容——压特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅