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娄艳芝; 李春志; 柳得橹;
1. 北京航空材料研究院 2. 北京科技大学材料科学与工程学院;
CSP工艺; 微合金化; 钛析出相; 孪生; 外延生长; 取向关系;
机译:关于取向错误的蓝宝石衬底上HVPE GaN的形核,聚结和过度生长以及针孔的起源
机译:(S332)相邻奥氏体晶粒的晶体取向关系对晶界铁素体的形核和晶体取向的影响
机译:Mg-Al-Zn-Sn合金中析出物和γ-Mg 17 sub> Al 12 sub>与镁基基体之间的析出和新取向关系的原位透射电镜观察
机译:TEM测定含钛钢中TiC和Ti2CS的取向关系
机译:原子层沉积过程中III-V半导体上介电膜的形核和生长。
机译:小鼠黑皮质素受体上四肽Ac-His-Arg-(pI)DPhe-Tic-NH2的结构-活性关系:(pI)DPhe位置的修饰导致mMC3R与mMC4R选择性配体。
机译:金刚石在硅上的偏斜增强形核过程中石墨平面的取向:X射线吸收近边缘研究
机译:HY180钢中mns和Ti2Cs夹杂物空洞形核与生长的比较。
机译:浮区生长的TiC晶体的取向控制
机译:埋层,特别是低功率微电子在绝缘体基板上的硅的埋层氧化硅层,是通过在微腔层上形核和生长而产生的
机译:ZrC TiC-ZrC-Ni通过添加ZrC来抑制颗粒生长的TiC-ZrC-Ni金属陶瓷的制造方法
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