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基于M-Z调制器串联结构8倍频方案研究

         

摘要

本文提出了一种基于M-Z调制器串联结构产生8倍频信号的新方案。主要通过对铌酸锂晶体低电压调制产生高信噪比,纯净的一阶边带;通过直流电压偏置和射频信号移相可有效抑制其他边带和噪声,边带在APD拍频,产生2倍频信号,把这个信号调制到下一级,产生4倍频信号,再次调制到下一级,产生8倍频信号。仿真结果表明,信噪比达到20d B,波形良好,与理论预期结果相符。

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