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1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究

         

摘要

光电探测器是激光及其应用系统中非常重要的一部分,当硅基PIN光电探测器受到激光辐照时,光电探测器的光电性能下降,其造成的损伤效果可以采用光电探测器的电学性能表征。对此,开展1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究,搭建相应的实验系统,选择合适的激光参数辐照硅基PIN光电探测器,监测其输出电流恢复时间的变化规律,得出输出电流恢复时间的影响机理。结果表明:随着激光功率密度的增加,硅基PIN光电探测器输出电流的恢复时间也随之增加。外置偏压对输出电流的恢复时间没有影响。

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