同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

徐法强; 孙玉明

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同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

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用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关，较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层，氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。

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来源
《化学物理学报》 |1997年第3期|221-224|共4页
作者
徐法强; 孙玉明;
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作者单位

中国科学技术大学国家同步辐射实验室;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室;

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正文语种 CHI
中图分类镁Mg;
关键词
半导体; 氧物种; XPS; 砷化镓（100）; 氧化镁超薄膜;

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