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何林峰; 聂海; 陈娇;
成都信息工程大学通信工程学院 四川成都610225;
基准源; Banba结构; 带隙基准源; 高阶补偿电阻;
机译:适用于BMIC的4.6ppm /°C高阶曲率补偿带隙基准
机译:具有新型误差放大器的高阶曲率补偿带隙电压基准
机译:新型高PSRR高阶温度补偿亚阈值MOS带隙基准
机译:具有改进的高阶温度补偿的新型CMOS带隙基准电路
机译:具有高阶补偿技术的带隙基准
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:基于改进的Fibonacci拓扑结构的1D等离子体环形周期性多层结构可调整向带隙特性
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:具有电流驱动能力和高阶温度曲率补偿的可缩放低输出阻抗带隙基准
机译:具有电流驱动能力和高阶温度曲率补偿的可扩展低输出阻抗带隙基准
机译:带隙基准电路和高阶温度补偿方法
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