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SIMS在半导体分离器件剖析中的应用

         

摘要

本文介绍SIMS技术在半导体分离器件剖析中的应用。通过深度分布分析,取得了晶体管有源区表面金属化层和内部掺杂层的深度分布曲线,据此获得晶体管试制的重要工艺参数——基区掺杂表面浓度值及其结深值。文中还讨论了一些存在问题。

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