980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

张莹; 宋爱民; 王培界

首页> 中文期刊> 《重庆邮电大学学报：自然科学版》 >980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。

著录项

来源
《重庆邮电大学学报：自然科学版》 |2012年第2期|212-216|共6页
作者
张莹; 宋爱民; 王培界;
展开▼
作者单位

重庆邮电大学光电工程学院;

重庆400065;

重庆教育学院图书馆;

重庆400067;

重庆光电技术研究所;

重庆400060;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
单量子阱; 压应变; Al组分; 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD); 转换效率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 [J] . 俞波 ,盖红星 ,韩军 . 量子电子学报 . 2005,第1期
2. 用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器 [J] . 杨国文 ,徐俊英 . 高技术通讯 . 1997,第003期
3. 980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器 [J] . 徐遵图 ,徐俊英 . 高技术通讯 . 1996,第011期
4. 980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源 [J] . 徐遵图 ,徐俊英 . 北京工业大学学报 . 1996,第004期
5. 应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计(英文) [J] . 张冶金 ,朱林 ,高志国 . 半导体学报：英文版 . 2003,第1期
6. 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 [C] . 俞波 ,盖红星 ,韩军 . 第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会 . 2004
7. 高功率980nm单模脊形量子阱半导体激光器的研究 [A] . 陈烨 . 2009

980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅