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双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟

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摘要

介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并胜此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布，由此可以更清楚地了解器件的工作机理。

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来源
《大连理工大学学报》 |1996年第6期|660-663|共4页
作者
张富斌; 李建军;
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作者单位

大连理工大学物理系;

大连理工大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类结构、器件;
关键词
半导体器件; 数值模拟; 计算机模拟; BNRD;

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