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多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

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摘要

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析，得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．

著录项

来源
《大连理工大学学报》 |1993年第4期|482-488|共7页
作者
周长胜; 邹赫麟;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN325.2;
关键词
多晶硅; 界面层; 发射极晶体管;

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