二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

姚群芳; 蔡佳; 龚士静

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二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX_2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX_2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX_2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe_2>MoTe_2>WSe_2>MoSe_2>WS_2>MoS_2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K′点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加.

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来源
《华东师范大学学报：自然科学版》 |2018年第2期|101-108|共8页
作者
姚群芳; 蔡佳; 龚士静;
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作者单位

华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理模拟方法、物理仿真;
关键词
二维过渡金属硫化物; Rashba自旋轨道耦合; 第-性原理计算;

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