首页> 中文期刊> 《功能材料》 >非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究

非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究

         

摘要

采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列.发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500 μeV.通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni 模型的拟合相当好,而在60~150K,Vina模型的拟合效果更优.3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2013年第8期|1077-1080|共4页
  • 作者单位

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

    西安黄河光伏科技股份有限公司,陕西西安710043;

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

    西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 功能材料;
  • 关键词

    ZnO; 纳米线; 光致发光; 自由激子; 束缚激子; X射线衍射;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号