深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析

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• 来源
  《功能材料》 |2009年第5期|724-727|共4页
• 作者

  王洪涛; 王茺; 李亮; 胡伟达; 周庆; 杨宇;

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• 作者单位

  云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091;

  云南大学,物理科学技术学院,云南,昆明,650091;

  云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091;

  云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091;

  中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;

  云南大学,物理科学技术学院,云南,昆明,650091;

  云南大学,工程技术研究院光电信息材料研究所,云南,昆明,650091;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 计算机仿真;
• 关键词

  三栅FinFET; 短沟道效应; 亚阈值摆幅; 拐角效应;