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Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究

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摘要

用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心.

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来源
《功能材料》 |2007年第1期|142-143,147|共3页
作者
陈彦; 马书懿;
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作者单位

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

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正文语种 chi
中图分类特种结构材料;薄膜的性质;
关键词
锗/氧化硅纳米多层膜; 电致发光; 位形坐标; 量子限制; 发光中心;

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