氨气等离子体下游区合成碳纳米管的研究

付亚波; 张春梅; 许文才; 陈强

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氨气等离子体下游区合成碳纳米管的研究

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利用介质阻挡放电等离子体化学气相沉积技术，在蒸镀有13nm Ni催化剂层的Si基材上，以CH4为碳源，H2与NH3的混和物为刻蚀和稀释气体，在630和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管。实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况，并给出了合成碳纳米管的最佳氨气含量区间,SEM和TEM测试发现，所合成的碳纳米管具有竹节型结构，Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制,实验还发现氨气含量对碳纳米管的生长影响很大，并对其原因进行了初步的分析．

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来源
《功能材料》 |2007年第A06期|2300-2302|共3页
作者
付亚波; 张春梅; 许文才; 陈强;
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作者单位

北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室,北京102600;

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正文语种 CHI
中图分类等离子体物理学;
关键词
碳纳米管; 介质阻挡放电; 下游区; 甲烷; 氨气;

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