射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性

郭亨群; 杨琳琳; 王启明

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射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性

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采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.

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来源
《功能材料》 |2006年第11期|1706-1708|共3页
作者
郭亨群; 杨琳琳; 王启明;
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作者单位

华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;

华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
Al-Si-SiO2薄膜; 磁控溅射; 光致发光;

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