氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析

戴永兵; 徐重阳

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用ＸｅＣｌ准分子激光器对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ有效介质近似（Ｂ－ＥＭＡ）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因基结晶度较高，可用不含ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征。在结晶膜与衬底之是形成了互混层，其

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来源
《功能材料》 |1998年第5期|571-520|共1页
作者
戴永兵; 徐重阳;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类 TN304.055;
关键词
激光诱导晶化; 氢化非晶硅; 椭偏谱; 硅薄膜;

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