TlGaS2和TlGaS2：Er3＋单晶的光致发光性质

巢毅敏; 赵建国

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TlGaS2和TlGaS2：Er3＋单晶的光致发光性质

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用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ＾３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ＾３＋引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。

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来源
《功能材料》 |1996年第3期|218-221|共4页
作者
巢毅敏; 赵建国;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN383.2;
关键词
TlGaS2; 单晶; 晶体生长; 光致发光; 光谱;

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