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窦敖川; 朱涛; 刘治国;
镇江师范专科学校物理系;
南京大学固体微结构物理国家重点实验室;
PTZT; 薄膜; 脉冲激光淀积; 铁电性; 漏电流;
机译:使用ZnO缓冲层增强Pt / TiO_2 / SiO_2 / Si(001)上Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的铁电性能
机译:Pt / tio_2 / sio_2 / si衬底上双层结构Pb(zr_(0.52)ti_(0.48))o_3 / srbi_2ta_2o_9(pzt / sbt)薄膜的铁电性能
机译:在传统Pt / Ti / SiO / Si衬底上制备的无疲劳Pb_(1.10)Zr_(0.50)Ti_(0.50)O_3薄膜中观察到异常的开关行为
机译:在Pt / ZrO_2 / SiO_2 / Si衬底上沉积(Pb_(0.35)Sr_(0.65))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3薄膜的化学溶液的相变和介电可调谐性
机译:在(001)LaAlO3衬底上脉冲激光沉积制备微米级厚度的BaTiO3薄膜
机译:用脉冲激光烧蚀研究Gaas(001)上生长的外延n型Cdse薄膜的衬底扩散
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