S缺陷对单层MoS2的电子结构和光学性质影响

黄保瑞; 张富春; 秦萍; 杨延宁

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S缺陷对单层MoS2的电子结构和光学性质影响

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研究S缺陷对单层MoS2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS2能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765 eV.S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧.在能量为8.93 eV时,S缺陷对单层MoS2的光学性质影响极低,对139 nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料.

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来源
《甘肃科学学报》 |2018年第5期|19-23|共5页
作者
黄保瑞; 张富春; 秦萍; 杨延宁;
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作者单位

延安大学物理与电子信息学院,陕西延安 716000;

延安大学物理与电子信息学院,陕西延安 716000;

延安大学物理与电子信息学院,陕西延安 716000;

延安大学物理与电子信息学院,陕西延安 716000;

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正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
缺陷; 第一性原理; MoS2; 光学性质;

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