一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计

金永亮; 张希婷; 徐新涛; 程心; 解光军; 张章

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一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计

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文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能。仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.0475 mV/V、0.00214 V/A;当电源电压范围为1.91~3.60 V时,输出电压稳定在1.80 V。

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来源
《合肥工业大学学报：自然科学版》 |2020年第9期|1213-1217|共5页
作者
金永亮; 张希婷; 徐新涛; 程心; 解光军; 张章;
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作者单位

合肥工业大学电子科学与应用物理学院;

安徽合肥230601;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
低压差稳压器(LDO); 瞬态响应; 瞬态补偿; 线性调整率; 负载调整率;

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