Sb_2Te_3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究

张涛; 仇怀利; 王军; 杜洪洋; 徐伟; 李中军

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Sb_2Te_3拓扑绝缘体薄膜的MBE制备研究

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文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X-ray diffraction)、SEM(scanning electron microscope)等检测手段对薄膜样品进行物像和表面分析,研究了不同衬底温度、束流大小和束流比、生长时间等因素对薄膜质量的影响。

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来源
《合肥工业大学学报：自然科学版》 |2016年第9期|1216-1219|共4页
作者
张涛; 仇怀利; 王军; 杜洪洋; 徐伟; 李中军;
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作者单位

合肥工业大学电子科学与应用物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Sb2Te3薄膜; 超高真空; 分子束外延; 拓扑绝缘体; 制备;

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